可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等；
可控硅的主要參數有：
1、 額定通態平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值；
4、 觸發電壓在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。

(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成
(2)可控硅由關斷轉為導通同時具備兩個條件:
(1〕受正向陽極電壓;
(2)受正向門極電壓。
(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。
(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:
主要參數編輯電流⒈ 額定通態電流(IT)即穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM)，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊ 控制極觸發電流(IGT)，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關電源、電機控制、變焊機、固態繼電器、有源濾波器、風力發電設備、工業傳動裝置、電梯或傳動設備、機車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產品上。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關電源、電機控制、變焊機、固態繼電器、有源濾波器、風力發電設備、工業傳動裝置、電梯或傳動設備、機車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產品上。

晶閘管的注意事項：
1、在檢查大功率器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節1.5V電池E′，以提高測試電壓和測試電流，使可靠地導通；
2、要準確測量的關斷增益，有測試設備。但在業余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結果僅供參考，或作為相對比較的依據；
逆導晶閘管亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽與陰之間反向并聯一只二管，使陽與陰的發射結均呈短路狀態。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。例如，逆導晶閘管的關斷時間僅幾微秒，工作頻率達幾十千赫，快速晶閘管。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中，一只即可代替晶閘管和續流二管各一只，不僅使用方便，而且能簡化電路設計；
逆導晶閘管的符號、等效電路，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性，正向特性與普通晶閘管相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（僅坐標位置不同）。

晶閘管通態電流上升率：元件通態電流上升率的臨界重復值。其對應不重復測試值為重復值的以上，在使用過程中，元件導通期時候的電流上升率都不能超過其重復值；
晶閘管元件的選擇：
正確地選擇晶閘管、整流管等電力電子器件對整機設備的可靠性及降低設備成本具有重要意義。元件的選擇要綜合考慮其使用環境、冷卻方式、線路型式、負載性質等因素，在所選元件各參數具有裕量的條件下兼顧經濟性。由于電力電子器件的應用領域十分廣泛，具體應用形式多種多樣。

晶閘管的工作原理：
1、晶閘管具有單向導電性：正向導通條件：A、K間加正向電壓，G、K間加觸發信號；
2、晶閘管一旦導通，控制失去作用：若使其關斷，降低UAK或加大回路電阻，把陽電流減小到維持電流以下；
晶閘管的結構：晶閘管由四層半導體材料構成，它有三個：陽，陰和門。晶閘管是在晶體管基礎上發展起來的一種大功率半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。